碳納米管具有優異的機械性能和電化學性能，一直在各領域備受關注。在鋰電池的應用中，碳納米管作為電極時，其獨特的網絡結構不僅能夠有效地連接更多的活性物質，出色的電導率也可以大幅降低阻抗。電導率及循環伏安法是表征電極材料電性能的重要手段，循環伏安法測試過程中，使用較多的是三電極系統和兩電極體系。

雙極片（BPP）材質使用及測試儀表現

- 在閥值電壓值之下，壓敏功率電阻的阻值很高，十分于斷路；

- 已經超過閥值的電壓后，壓敏電阻值的阻值洋洋拉低，溶解頃刻間的能源。

        壓敏電阻的電學特性主要包括壓敏電壓、漏電流、封裝耐壓、響應度等方面。由于器件本身耐壓高，測試需要高壓，同時需要nA級小電流測量能力，推薦使用普賽斯P系列脈沖源表或E系列高電壓源測單元，P系列脈沖源表具備300V高壓，小電流低至1pA；E系列高壓源測單元最大電壓高達3500V、最小電流低至1nA。

由于納米發電自身的技術原因，在測試時具有電流信號微弱（低至μA甚至nA級）；內阻大，開路電壓很難測準；信號變化快，難以捕獲電壓或電流峰值等特點。推薦使用普賽斯S系列直流源表、P系列脈沖源表或CS系列插卡式多通道源表，搭配上位機軟件，可實現納米發電材料輸出電壓以及輸出電流隨時間變化的曲線：V-t、I-t等，適用于摩擦發電、水伏發電、溫差發電等納米發電研究領域。

設計場因素氯化鈉晶體管運用及測量表現

        有機場效應晶體管（OFET）是一種利用有機半導體組成的場效應晶體管。一般由柵極、絕緣層、有機有源層、源/漏電極構成。主要性能指標有遷移率、開關電流比、閾值電壓三個參數，通常用輸出特性曲線和轉出因素曲線方程來表征。推薦使用普賽斯SPA6100半導體參數分析儀來進行I-V測試以及C-V測試，可以用來獲取器件的輸出轉移特性、柵極漏電流、漏源擊穿電壓等參數；C-V測試可以確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N以及固定電荷面密度Qfc等參數。

結語

        奈米級文件及集成電路芯片當做戰略方針性新財產和高新方法方法財產，是促使財產企業轉型不斷發展和優線質量不斷發展的更重要柱石之六。普賽斯數據源表具備有軟件公測儀高精性高、很弱手機信號監測力量強的優勢特點，可基于用戶數軟件公測儀各種需求系統配置高效性率、高高計算精度、高兼具性價比的奈米級文件軟件公測儀方案格式，豐富應用在奈米級文件、奈米級集成電路芯片、奈米級并網發電等廠品的研制制作這個領域。