盛夏已過，初秋開場

十一月的氣溫猶在已簽不散生命也免無法被繁多的運行鎮魂

油田大工作效率(6500V/3000A)IGBT測試圖片難？伴近年來該項目實際需求急、神器任務重、需要高工作師們氣壓山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si性狀的各個，SiC MOSFET的域值的電流值降有不正定性處理，在元器件封裝各種軟件測量方法步驟具體步驟中域值的電流值降老有很明顯漂移，造成其電特點各種軟件測量方法步驟包括低溫柵偏試驗臺后的電各種軟件測量方法步驟最終非常嚴重依賴關系于各種軟件測量方法步驟環境。為此域值的電流值降的精確度各種軟件測量方法步驟，現今正規性各種軟件測量方法步驟方法步驟有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻功率 RDSon為導致元器件封裝崗位時導通不足的一根本特色參數表，其熟知會隨 VGS 并且 T的不同而變動。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流愛護都可以將電阻值或 電壓電流局限性在SOA區域中，規避元件搞壞或炸管。

測量必備條件：800V 恒壓 10μA 限流

試驗具體條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電檢查量測控制電路將加快導通輸出功率量測精準度；? SOCKET與PIN排斥電容、檢測引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電壓正弦波形振動；? 電路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常見的同軸電纜線的等效電解電容與DUT電容串聯，SMU測試時增漲或者增強準確時間長；? 三同軸低壓電纜等效電阻近乎為0。

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