国产免费一区二区三区最新6-国产精品免费一区二区三区四区-国产免费视频一区二区三区-国产在线视频一区二区三区_PMDT功率器件动态参数测试系统_双脉冲测试_结电容测试-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

PMDT功率器件動態參數測試系統

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PMDT輸出元器技術性性能指標各種檢測操作系統也是款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等元器的技術性性能指標各種檢測，還可以很應急合理的各種檢測輸出元器的旋鈕廷遲和損失，分析元器的很應急本職工作區，對元器和win7驅動集成運放的跳閘呵護的特點對其進行校驗，測試輸出插件的雜散電感。平臺基本由雙輸入脈沖預警突發器，好的成績辨率示波器，各類油田電流大小紅外探頭，各類油田電源模塊、母線電容（電容器）、低雜感母排、自然化考試手機軟件相應服務設施考試工服分為。平臺設備很多考試驅動安裝板，可涵蓋按鈕電開關性能參數考試、柵極帶電粒子考試、擊穿考試、雪崩考試等，日均考試能夠做好按鈕電開關性能指標及反方向可以恢復性能指標考試；可立即導出考試結果及正弦波形折線，自然添加考試報告格式。

產品特點

● 高電壓達2000V（最大擴展至8kV）
● 大電流達2000A（可擴展至6000A）
● 低寄生電感設計，＜20nH寄生電感
● 安全防護機制，集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化，負載電感自動切換
● 溫度范圍廣，可選高溫模塊(常溫～200℃)或熱流儀(-40℃～200℃)

● 兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具

系統組成.png

測試項目

●  開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
●  柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

共性市場上不一樣的芯片封裝種類的工作功率半導體設備，如IGBT、SiC、MOS等軟件的，普賽斯帶來整個測試圖片方法夾具設計滿足設計，可以用在于T0單管，半橋模組等軟件的的測試圖片方法

測試夾具.png

軟件界面

產品選型

項目	正向電壓	負向電壓	最大電流	脈寬范圍
柵極	0～30V	-20～0V	10A	0.1μs～200μs

項目	最大電壓	最大電流	短路電流
漏極/集電極	2000V	2000A（DPT）	12kA

項目	雜散電感	保護響應時間	工作環境溫度
系統功能	＜20nH	＜2us	常溫～40℃

PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考：

型號	規格	高壓差分探頭	柔性電流探頭
PMDT2003	2000V/300A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(1個大概): 速率 100M，量限 30AIc(15個): 帶寬的配置 30M，示值 300A Icsc(8個): 傳輸速率 30M，測量范圍 12kA
PMDT2010	2000V/1000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X：350V，2000X: 3500V	Ig(個)：帶寬起步 100M，量限 30AIc(5個)：上行寬帶 30M，滿量程 1200A Icsc(個)：帶寬的配置 30M，分度值 12kA
PMDT2020	2000V/2000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(一個): 帶寬使用 100M，示值 30AIc(一): 下行帶寬 30M，示值 3000A Icsc(3個): 下行帶寬 30M，測量范圍 12kA