前言

        明年，我國光電元件設備文化高新制造業終止連續式高增長期，加入優化階段。與此組成進行對比，在新發熱能源汽車汽車、光伏太陽能、儲能科技等意愿助推下，再者代光電元件設備文化高新制造業始終保持穩定發展，我國化批售鏈風險管理保障體系真正組成，相互競爭性格式逐年闡明，文化高新制造業跨入快速的成長的期。而我國再者代光電元件設備文化高新制造業進行一迅速開始生擴產力謀劃和產線施工，國內隨時升級研發再者代光電元件設備車輛再度開發管理成功的 并用核實，科技穩中求進優化，生擴產力反復緩解壓力，國內隨時升級研發炭化硅(SiC）元件及組件迅速開始“上機”，生態環境風險管理保障體系迅速改進，隨時升級可以操控的水平反復加強，綜合相互競爭性國力發展優化。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022三、代光電器件行業方面發展方向發展報告》展現，2030年中國國家三、代光電器件行業熱效率智能電子無線和紅外光rfrf微波射頻兩方面保持總總值141.7億人民幣，較202半年增速11.7%，擴產反復放。中僅的，SiC擴產增速翻一倍，GaN擴產增速超30%，新建項目投資擴產工作方案較202半年同比增速增速36.7%。一起，隨自動小汽車茶葉市揚的便捷增速，光伏系統、全釩液流電池需要驅動，2030年中國國家三、代光電器件行業熱效率智能電子無線和紅外光rfrf微波射頻茶葉市揚的總規模化提高194.10億人民幣，較202半年增速34.5%。中僅的，熱效率光電器件行業茶葉市揚的低于105.3億人民幣，紅外光rfrf微波射頻茶葉市揚的約88.5億人民幣。

        平均，2026年將是第三方代半導體芯片與時共進的每年，市場將應許一款 “新技術很快提高 、產業群很快增長額、大格局大轉變”的“西漢新時代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        雖然，然后代寬禁帶半導用料的探討也推行著LED照明系統電器行業的逐漸轉型，從Mini-LED到Micro-LED，保持反應半導照明系統電器行業，同時還在大公率脈沖光器、紅外光譜除臭/試探教育領域激發重在要的的作用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        近年，電機工率半導體材料設備行業設備元件市場上呈出ibms化和控制器化、高質量指標和高是真的嗎性、多電平技術工藝設備、最新科技元件結構設計和工藝設備、智慧化和可規則化等增強大趨勢和增強朝向。電機工率半導體材料設備行業設備元件是用途于嚴酷生活環境下的高電機工率比熱容元件，對元件是真的嗎性追求生活于那些半導體材料設備行業設備元件的排頭兵。如此，對元件有目的的效能指標測驗追求、滿足便用景象的是真的嗎性測驗經濟條件還有準確無誤的沒用介紹的方式將很好的的增強電機工率半導體材料設備行業設備元件服務的效能指標及是真的嗎性呈現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 位置廣，高至300V低至1pA- 面積最小脈沖激光寬200μs- 精確性度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺極大3500V直流電壓內容輸出(可存儲10kV)- 校正直流電低至1nA- 精密度度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 傷害瞬時電流達1000A- 數臺串連大約6000A- 50μs-500μs的激光脈沖長度可調節為- 脈寬邊沿陡(典型性時光15us)- 雙路同時進行預估交流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 交流電/脈寬兩大類直流電壓效果傳統模式- 大智能電壓，上限可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設計的概念，1CH/插卡，最高的可以10渠道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*一部分圖片收入：公開監督資科收拾

*個部分信息從何而來：我們經濟增長時報《世界各國第3代半導體技術行業總體經濟入駐個人成長期》郭錦輝

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