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專心致志于半導體技術電耐腐蝕性測試儀

普賽斯儀表攜國產化高精度數字源表等半導體電性能測試設備亮相2023慕尼黑上海電子展

起源:admin 時間:2023-07-11 16:59 搜素量:1508
        8月11日,2023慕尼黑濟南自動化展(Electronica China)在濟南國內展覽中間揭幕,此次博覽會以“要融合去去創新、智引未來是什么”有利于題,融合半導體材料、無源集成電路系統芯片、智慧網聯&新清潔能源汽車行業、調節器器、聯接器、主機電源開關、束線光纜、主機電源、軟件測試檢測的、柔印電路系統板、自動化制作業服務質量、較為先進制作業等機構,開發從成品結構設計到app真正落地的橫度行業鏈上下左右游的工藝展示英文app,以去去創新工藝加快中國有自動化行業鏈發展壯大。


        普賽斯智能儀表全力于光電電子器件檢驗高性價比裝備的國內化,攜全款型光電電子器件電性檢驗強莊股車輛及光電電子器件層面從材質、晶圓到電子器件檢驗緩解工作方案獻唱每次展銷會,引人關注不計其數工程項目師和服務業賓客應邀感受聯絡。


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        試驗方法英文圖片精確測量是一整塊手機行業的品質的調控的有效率的方式,光電器件依照生產制作業各個過程的不同,的品質的調控可分成前道查測、中道查測和后道試驗方法英文圖片。前道查測又被稱為為流程工藝設備查測,處于晶圓制作業,診斷光刻、刻蝕、溥膜巖漿巖、清潔、CMP等晶圓制作業各個過程后產品制作叁數能不能完成結構設計設計條件或具備直接影響良率缺欠,偏重物理防御性查測;中道查測處于優秀封裝類型,以光學材料等非碰到式的方式而對重步線結構設計、凸點與硅通孔等晶圓制作業各個過程的的品質的調控;后道試驗方法英文圖片重要處于晶圓查測(CP,Circuit Probing)和樣品試驗方法英文圖片(FT,Final Test),診斷集成電路芯片使用耐磨性能不能完全符合條件,偏重電使用耐磨性查測。


        緊緊圍繞半導體設備的電耐熱性測試圖片圖片,普賽斯義表活動現場作品展示了綜合性開發的源表一系列(SMU)、脈寬恒流源 (FIMV)、髙壓電源模塊模塊 (FIMV、FVMI)、脈寬恒壓源或者動態信息收集卡五大物品類物品,包括電流值大小源表、脈寬源表、窄脈寬電流值大小源、集成式插卡式源表、高精密度的超小電流值大小源、高精密度髙壓電源模塊模塊、動態信息收集卡等國產車化電耐熱性測試圖片圖片義表,其相對穩確定、信得過性、相符性的大面積的市場手機驗證。、


        焦點3代半導很快發展進步下企業公司存在的危機和挑釁,普賽斯設備副部門經理部門經理兼研究開發技術性責任人王承與工地賓客展開了更好層次結構的論述。


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SiC/IGBT功率半導體器件測試

        共性SiC/IGBT電子元電子元器件在測式中兼備的測禁止、測不全、不靠譜性或者使用率低的難題,普賽斯設備最新推薦一款系統設計國廠化高精度數字式源表(SMU)的測式工作方案,符合良好的測式效果、更最準確的在線校正的結果、更強的不靠譜性與更完全的測式效果。兼備高額定電壓(3500V)和大瞬時感應電流(6000A)的作用、μΩ級導通阻值精度在線校正、nA級瞬時感應電流在線校正效果等作用。蘋果支持油田方式下在線校正效率電子元電子元器件結電阻(電阻器)器,如顯示電阻(電阻器)器、打印輸出電阻(電阻器)器、反向的方式給回傳輸數據電阻(電阻器)器等。


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GaN功率半導體器件測試

        針對于氮化鎵(GaN)包擴砷化鎵(GaAs)等食材產生的穩定元器件的I-V測量,普賽斯智能儀表新一代開售的CP系類輸入電脈沖信號造成的發生器恒壓源都可以效率高迅速的徹底解決測量困難。品牌兼具輸入電脈沖信號造成的發生器感應電流上限可至10A、輸入電脈沖信號造成的發生器長寬比較小可低至100ns;可以電流、輸入電脈沖信號造成的發生器每種電壓值打印輸出摸式等結構特征。品牌可適用于GaN的自熱因素,輸入電脈沖信號造成的發生器S因素測量等商務活動。

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科學課機器設備紐博格林北環長坡厚雪,國內代替品供需高。普賽斯儀表盤將繼續不停不停創新,不停推進房產鏈前后左右游的合作一體化,以不錯的好產品與工作助推雇主保證 房產附加值,共赴可繼續不停未來是什么!



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