GaN是一個種新式半導相關材料，廣泛應該用應該用在航天工程和攻沙方面。含有極強的傳熱性速度、耐中高溫和耐腐蝕堿等基本基本特征。以GaN HEMT集成電路芯片為例子，鑒定普通涉及交流電基本基本特征（交流電I-V自測）、頻繁 基本基本特征（小警報S性能參數自測）、工作功率基本基本特征(Load-Pull自測)。